Электронно-тепловая модель эффектов переключения и памяти, основанная на многофононной туннельной ионизации U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках : автореф. дис. на соиск. уч. степ. к. ф.-м. н. : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>

Заглавие:Электронно-тепловая модель эффектов переключения и памяти, основанная на многофононной туннельной ионизации U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках : автореф. дис. на соиск. уч. степ. к. ф.-м. н. : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>

Физическое описание:16 с.

Библиотечный фонд:Российская Национальная Библиотека

Полное библиографическое описание

Доступные права:

Просмотр:

• 100% от первой страницы документа

Печать:

• Произвольный отрывок, составляющий 25% документа