Разработка технологических основ получения эпитаксиальных слоев нитрида галлия методом хлоридно-гидридной эпитаксии на подложках сапфира : автореф. дис. на соиск. уч. степ. к. т. н. : специальность 05.17.01 <Технология неорганических веществ>
Разработка технологических основ получения эпитаксиальных слоев нитрида галлия методом хлоридно-гидридной эпитаксии на подложках сапфира : автореф. дис. на соиск. уч. степ. к. т. н. : специальность 05.17.01 <Технология неорганических веществ>