На главную

Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>

Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>

20 с.

Российская Национальная Библиотека

Полное библиографическое описание

  • 100% от первой страницы документа

  • Произвольный отрывок, составляющий 25% документа

  • Произвольный отрывок, составляющий 25% документа

Обложка
Открыть в мобильном приложении