Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>

Заглавие:Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>

Физическое описание:20 с.

Библиотечный фонд:Российская Национальная Библиотека

Полное библиографическое описание

Доступные права:

Просмотр:

• 100% от первой страницы документа

Печать:

• Произвольный отрывок, составляющий 25% документа