Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук : специальность 05.27.06 <Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники>

Заглавие:Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук : специальность 05.27.06 <Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники>

Физическое описание:22 с.

Библиотечный фонд:Российская Национальная Библиотека

Полное библиографическое описание

Доступные права:

Просмотр:

• 100% от первой страницы документа

Печать:

• Произвольный отрывок, составляющий 25% документа