Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>

Заглавие:Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>

Физическое описание:24 с.

Библиотечный фонд:Российская Национальная Библиотека

Полное библиографическое описание

Доступные права:

Просмотр:

• 100% от первой страницы документа

Печать:

• Произвольный отрывок, составляющий 25% документа
• 100% от первой страницы документа

Копирование:

• Произвольный отрывок, составляющий 50% документа

Загрузка всего документа