Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ti : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук : специальность 05.27.01 <Твердотел. электроника, радиоэлектрон. компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах>

Заглавие:Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ti : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук : специальность 05.27.01 <Твердотел. электроника, радиоэлектрон. компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах>

Физическое описание:23 с.

Библиотечный фонд:Российская Национальная Библиотека

Полное библиографическое описание

Доступные права:

Просмотр:

• 100% от первой страницы документа

Печать:

• Произвольный отрывок, составляющий 25% документа