Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>
Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>