Исследование образования поверхностных точечных дефектов в тонких пленках ЩГК на монокристалле Si(111) при облучении медленными электронами : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. : Спец. 01.04.04
Исследование образования поверхностных точечных дефектов в тонких пленках ЩГК на монокристалле Si(111) при облучении медленными электронами : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. : Спец. 01.04.04