Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных А2 В6 (основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств) : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д.ф.-м.н. : Спец. 01.04.10
Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных А2 В6 (основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств) : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д.ф.-м.н. : Спец. 01.04.10