На главную

Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных А2 В6 (основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств) : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д.ф.-м.н. : Спец. 01.04.10

Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных А2 В6 (основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств) : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д.ф.-м.н. : Спец. 01.04.10

40 с.

Российская Национальная Библиотека

Полное библиографическое описание

  • 100% от первой страницы документа

  • Произвольный отрывок, составляющий 25% документа

  • Произвольный отрывок, составляющий 25% документа

Обложка
Открыть в мобильном приложении