На главную

Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук : специальность 05.27.06 <Технология и оборудование для пр-ва полупроводников, материалов и приборов электрон. техники> ; специальность 05.11.14 <Технология приборостроения>

Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук : специальность 05.27.06 <Технология и оборудование для пр-ва полупроводников, материалов и приборов электрон. техники> ; специальность 05.11.14 <Технология приборостроения>

25 с.

Российская Национальная Библиотека

Полное библиографическое описание

  • 100% от первой страницы документа

  • Произвольный отрывок, составляющий 25% документа

  • Произвольный отрывок, составляющий 25% документа

Обложка
Открыть в мобильном приложении