Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук : специальность 05.27.06 <Технология и оборудование для пр-ва полупроводников, материалов и приборов электрон. техники> ; специальность 05.11.14 <Технология приборостроения>
Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук : специальность 05.27.06 <Технология и оборудование для пр-ва полупроводников, материалов и приборов электрон. техники> ; специальность 05.11.14 <Технология приборостроения>