Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4 - H2 на подложках цилиндрической формы : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук : специальность 05.27.06 <Технология и оборудование для пр-ва полупроводников, материалов и приборов электрон. техники>

Заглавие:Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4 - H2 на подложках цилиндрической формы : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук : специальность 05.27.06 <Технология и оборудование для пр-ва полупроводников, материалов и приборов электрон. техники>

Физическое описание:25 с.

Библиотечный фонд:Российская Национальная Библиотека

Полное библиографическое описание

Доступные права:

Просмотр:

• 100% от первой страницы документа

Печать:

• Произвольный отрывок, составляющий 25% документа