Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников АIIIВV для приборов оптоэлектроники и ИК-техники : автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук : специальность 05.27.06 <Технология и оборудование для пр-ва полупроводников, материалов и приборов электрон. техники>
Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантоворазмерных гетероструктур на основе полупроводников АIIIВV для приборов оптоэлектроники и ИК-техники : автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук : специальность 05.27.06 <Технология и оборудование для пр-ва полупроводников, материалов и приборов электрон. техники>