Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений : автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. : спец. 01.04.07

Заглавие:Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений : автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. : спец. 01.04.07

Физическое описание:18 с.

Библиотечный фонд:Российская Национальная Библиотека

Полное библиографическое описание

Доступные права:

Просмотр:

• 100% от первой страницы документа

Печать:

• Произвольный отрывок, составляющий 25% документа