Особенности образования нанооостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями : автореф. на соиск. уч. степ. к. ф.-м. н. : специальность 05.27.01 <Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах>
Особенности образования нанооостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями : автореф. на соиск. уч. степ. к. ф.-м. н. : специальность 05.27.01 <Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах>