На главную

Особенности образования нанооостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями : автореф. на соиск. уч. степ. к. ф.-м. н. : специальность 05.27.01 <Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах>

Особенности образования нанооостровков в многослойных SiGe гетероструктурах и метод селективного легирования SiGe структур сегрегирующими примесями : автореф. на соиск. уч. степ. к. ф.-м. н. : специальность 05.27.01 <Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах>

22 с.

Российская Национальная Библиотека

Полное библиографическое описание

  • 100% от первой страницы документа

  • Произвольный отрывок, составляющий 25% документа

  • Произвольный отрывок, составляющий 25% документа

Обложка
Открыть в мобильном приложении