На главную

Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>

Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>

19 с.

Российская Национальная Библиотека

Полное библиографическое описание

  • 100% от первой страницы документа

  • Произвольный отрывок, составляющий 25% документа

  • Произвольный отрывок, составляющий 25% документа

Обложка
Открыть в мобильном приложении