Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>

Заглавие:Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>

Физическое описание:18 с.

Библиотечный фонд:Российская Национальная Библиотека

Полное библиографическое описание

Доступные права:

Просмотр:

• 100% от первой страницы документа

Печать:

• Произвольный отрывок, составляющий 25% документа