Атомная структура поверхности GaAs(001)-4x2 при малой степени покрытия йодом : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : специальность 01.04.07 <Физика конденсир. состояния>
Атомная структура поверхности GaAs(001)-4x2 при малой степени покрытия йодом : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : специальность 01.04.07 <Физика конденсир. состояния>