Атомная структура поверхности GaAs(001)-4x2 при малой степени покрытия йодом : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : специальность 01.04.07 <Физика конденсир. состояния>

Заглавие:Атомная структура поверхности GaAs(001)-4x2 при малой степени покрытия йодом : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : специальность 01.04.07 <Физика конденсир. состояния>

Физическое описание:26 с.

Библиотечный фонд:Российская Национальная Библиотека

Полное библиографическое описание

Доступные права:

Просмотр:

• 100% от первой страницы документа

Печать:

• Произвольный отрывок, составляющий 25% документа