На главную

Атомная структура поверхности GaAs(001)-4x2 при малой степени покрытия йодом : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : специальность 01.04.07 <Физика конденсир. состояния>

Атомная структура поверхности GaAs(001)-4x2 при малой степени покрытия йодом : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : специальность 01.04.07 <Физика конденсир. состояния>

26 с.

Российская Национальная Библиотека

Полное библиографическое описание

  • 100% от первой страницы документа

  • Произвольный отрывок, составляющий 25% документа

  • Произвольный отрывок, составляющий 25% документа

Обложка
Открыть в мобильном приложении