На главную

Влияние электрического поля на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>

Влияние электрического поля на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>

15 с.

Российская Национальная Библиотека

Полное библиографическое описание

  • 100% от первой страницы документа

  • Произвольный отрывок, составляющий 25% документа

  • Произвольный отрывок, составляющий 25% документа

Обложка
Открыть в мобильном приложении