На главную

Оптические и структурные свойства квантовых точек (In, Ga, Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3 - 1.55 мкм : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>

Оптические и структурные свойства квантовых точек (In, Ga, Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3 - 1.55 мкм : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>

17 с.

Российская Национальная Библиотека

Полное библиографическое описание

  • 100% от первой страницы документа

  • Произвольный отрывок, составляющий 25% документа

Обложка
Открыть в мобильном приложении