На главную
Оптические и структурные свойства квантовых точек (In, Ga, Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3 - 1.55 мкм : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>
Оптические и структурные свойства квантовых точек (In, Ga, Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3 - 1.55 мкм : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : специальность 01.04.10 <Физика полупроводников>
17 с.
Российская Национальная Библиотека
Полное библиографическое описание
-
100% от первой страницы документа
-
Произвольный отрывок, составляющий 25% документа
Открыть в мобильном приложении