На главную

Разработка отдельных базовых процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук : специальность 05.27.01 <Твердотел. электроника, радиоэлектрон. компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах>

Разработка отдельных базовых процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук : специальность 05.27.01 <Твердотел. электроника, радиоэлектрон. компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах>

17 с.

Российская Национальная Библиотека

Полное библиографическое описание

  • 100% от первой страницы документа

  • Произвольный отрывок, составляющий 25% документа

Обложка
Открыть в мобильном приложении