На главную

Осаждение эпитаксиальных слоев p-CdxHg1-xTe из паров ртути, диметилкадмия и алкильных соединений теллура на подложках из арсенида галлия : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. хим. наук : специальность 02.00.01 <Неорган. химия>

Осаждение эпитаксиальных слоев p-CdxHg1-xTe из паров ртути, диметилкадмия и алкильных соединений теллура на подложках из арсенида галлия : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. хим. наук : специальность 02.00.01 <Неорган. химия>

24 c.

Российская Национальная Библиотека

Полное библиографическое описание

  • 100% от первой страницы документа

  • Произвольный отрывок, составляющий 25% документа

  • Произвольный отрывок, составляющий 25% документа

Обложка
Открыть в мобильном приложении