Осаждение эпитаксиальных слоев p-CdxHg1-xTe из паров ртути, диметилкадмия и алкильных соединений теллура на подложках из арсенида галлия : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. хим. наук : специальность 02.00.01 <Неорган. химия>

Заглавие:Осаждение эпитаксиальных слоев p-CdxHg1-xTe из паров ртути, диметилкадмия и алкильных соединений теллура на подложках из арсенида галлия : автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. хим. наук : специальность 02.00.01 <Неорган. химия>

Физическое описание:24 c.

Библиотечный фонд:Российская Национальная Библиотека

Полное библиографическое описание

Доступные права:

Просмотр:

• 100% от первой страницы документа

Печать:

• Произвольный отрывок, составляющий 25% документа