На главную

Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n-переходов на основе фосфида галлия : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. : Спец. 01.04.10

Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n-переходов на основе фосфида галлия : Автореф. дис. на соиск. учен. степ. к.ф.-м.н. : Спец. 01.04.10

22 с.

Российская Национальная Библиотека

Полное библиографическое описание

  • 100% от первой страницы документа

  • Произвольный отрывок, составляющий 25% документа

  • Произвольный отрывок, составляющий 25% документа

Обложка
Открыть в мобильном приложении